宏捷科 (8086) 基本資料

◆ 無線通信機械器材製造。
◆ 砷化鎵晶片。
◆ 數位行動電話功率放大器模組。


獲 利 能 力 (109第1季) 最新四季每股盈餘 最近四年每股盈餘
營業毛利率 32.35% 109第1季 1.10元 108年 2.54元
營業利益率 22.65% 108第4季 1.03元 107年 2.11元
稅前淨利率 23.83% 108第3季 0.91元 106年 1.58元
資產報酬率 3.51% 108第2季 0.46元 105年 2.77元
股東權益報酬率 4.57% 每股淨值:   25.99元


宏捷科(8086.TW)創立於1998年4月,以製造砷化鎵異質介面雙極電晶體(GaAs HBT)與假型高速電子遷移率電晶體 (pHEMT) 為主之晶片代工廠。

2017年產品線營收比重為砷化鎵晶片佔比為97%、其他佔3%。

HBT 終端主要運用於手機以及WiFi 所需之功率放大器(PA),其中手機之比重約在65%,WiFi 應用領域約35%。至於pHEMT 主要應用於Switch, pHEMT之業務營收比重約提升至14%。

新產品聚光型太陽能電池營收比重不到5%,為公司的下一個成長動能。

射頻模組中的各電路產品中,功率放大器(PA)係以HBT來設計,而微波開關器(RF switch)則利用D-mode pHEMT來設計。

HBT(異質接面雙載子電晶體) : HBT是手機PA的主流產品,因HBT具有電池使用時間長、訊號轉換品質佳、元件面積小、製程良率高等特性,較MESFET與pHEMT更適合無線通訊使用。

PHEMT(假晶高速電子移動電晶體) : PHEMT具有超高頻及低雜訊特性,適用於高功率基地台,低雜訊放大器(LNA)及RF Switch上。由於3G手機的品質要求高,且晶片面積減小,手機的RF Switch由PHEMT取代Si diode,手機的RF Switch主要的功能在於多頻(GSM/GPRS/EDGE/WCDMA)及多模(800MHz-2.6GHz)間之切換,是高階3G 以上手機中的必備規格。

公司主要原料是磊晶片,GaAs元件基本特性多在磊晶成長時就已決定,因此公司採購以品質可靠且長期合作之磊晶供應商為主。公司與日廠合作開發GPS LNA產品,具有GPS定位功能,可應用於手持式裝置、物聯網、車用市場,相關產品於2015年量產。

砷化鎵產業上游關鍵材料為砷化鎵磊晶圓,產業鏈由上而下為IC設計、晶圓製造及封測,整個產業除晶圓製造外,設計與先進技術仍掌握在國際IDM大廠,砷化鎵晶圓製造市場中,IDM公司仍佔有超過70%的生產規模。

砷化鎵半導體相較於矽半導體具有高頻、抗輻射、電子遷移速率快、耐高溫等特性,主要應用在無線通訊、光通訊上,其中以無線通訊(2G/3G/4G/Wi-Fi) 的普及為帶動砷化鎵產值的最大動力。

2010年砷化鎵市場產值達50億美元,年成長3成左右,至2015年約達64億元美元,其中行動通訊應用約佔50%比重,主要為智慧型手機成長推動。2017年銷售區域比重為台灣佔32%、美國佔59%、亞洲佔9%。以出貨量計算,應用於手機PA晶片市場占有率約為8%。


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